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超大规模集成电路用超低介电薄膜

  • 申请号： 申请公布号：
  • 申请日： 申请公布日： 2017-01-17
  • 申请（专利权）人：BI651385417 专利代理机构：
  • 分类号：

专利介绍

低于2.0的超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料，优点显著：1、介电常数低与2.0；2、薄膜中的纳米微孔分布均匀；3、薄膜中的微孔大小尺寸可调；4、薄膜的刚性、柔性可调控； 5、薄膜电学性质稳定；6、与硅片的粘附性好。

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